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靶材提純方法

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靶材提純方法

發(fā)布日期:2019-11-25 作者: 點擊:

靶材提純方法

在VLSI的制造過程中重復(fù)使用的濺射過程是一種物理氣相沉積(PVD)技術(shù),并且是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一。

靶材

歐凱的目標指出,濺射過程中離子源產(chǎn)生的離子被加速并在高真空中積聚,形成高速能量離子束,轟擊固體表面,并且在離子之間發(fā)生動能交換。 固體表面原子。 固體表面上的原子離開固體,并沉積在基材表面上。 被轟擊的固體是用于通過濺射方法沉積薄膜的原材料,被稱為濺射靶。

濺射靶材的種類很多,甚至相同材料的濺射靶材也具有不同的規(guī)格。 根據(jù)不同的分類方法,濺射靶可分為不同的類別。主要分類如下:

按形狀分類:長目標,方形目標,圓形目標

按化學(xué)成分分類:金屬靶材(純金屬鋁,鈦,銅,鉭等),合金靶材(鎳鉻合金,鎳鈷合金等),陶瓷靶材(氧化物,硅化物,碳化物),硫化物 等)

按應(yīng)用領(lǐng)域分類:半導(dǎo)體芯片目標,平板顯示器目標,太陽能電池目標,信息存儲目標,I修改目標,電子設(shè)備目標,其他目標。

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